a-Seで表され，基板温度50～60 °C程度で真空蒸着して製造する．P型半導体で，ガラス転移点 (45 °C) 以上で六方晶形に結晶化する．As，Teとの合金化により分光感度を調整して用いることが多い．
【分野】電子写真(材料)
【関連用語】： アモルファスセレン セレン感光体
